Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 250 V / 20 A 104 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
851-504
Herst. Teile-Nr.:
SIR692DP-T1-BE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.067Ω

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25.3nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.05mm

Höhe

1.04mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101 Qualified

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
DE
Der Hochleistungs-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement in verschiedenen elektronischen Systemen entwickelt und gewährleistet Zuverlässigkeit und Präzision in Schaltanwendungen.

Verwendet ThunderFET-Technologie für optimalen RDS(on), Qg, Qsw und Qoss-Balancing

Garantiert 100 % Rg und UIS-geprüft für erhöhte Zuverlässigkeit

Unterstützt eine maximale Drain-Source-Spannung von 250 V

Minimaler Einschaltwiderstand von 0,063 Ω bei VGS von 10 V sorgt für geringen Leistungsverlust

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