Vishay SISS32LDN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 63 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK

RS Best.-Nr.:: 653-103
Herst. Teile-Nr.:: SISS32LDN-T1-BE3
Hersteller:: Vishay

Vishay SISS32LDN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 63 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK

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Herst. Teile-Nr.:: SISS32LDN-T1-BE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	63A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	PowerPAK
	Serie	SISS32LDN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0072Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	17.7nC
	Maximale Verlustleistung Pd	65.7W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	3.3mm
	Länge	3.3mm
	Höhe	0.75mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße PowerPAK
	Serie SISS32LDN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0072Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17.7nC
	Maximale Verlustleistung Pd 65.7W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 3.3mm
	Länge 3.3mm
	Höhe 0.75mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SISS32LDN-T1-BE3

Ursprungsland:: TH

Einfache MOSFETs der Serie SISS32LDN von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 80 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 63 A – SISS32LDN-T1-BE3

Dieses einzelne MOSFET-Gerät ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in der Industrieelektronik entwickelt wurde. Er arbeitet als Enhancement-Mode-MOSFET, der für Antriebs- und Schaltanwendungen geeignet ist, bei denen eine hohe Drain-Source-Spannung und eine robuste Stromverarbeitung erforderlich sind. Die Komponente wird in einem kompakten PowerPAK-Gehäuse geliefert, das für die SMD-Montage vorgesehen ist und den RoHS-Anforderungen entspricht.

Merkmale und Vorteile:

• 80 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit • Kontinuierlicher Ablassstrom von 63 A unterstützt die Leitung starker Lasten • Niedriger RDS(on) von 0,0072 Ω minimiert Leitungsverluste unter Last • Die Verlustleistung von 65,7 W ermöglicht einen dauerhaften thermischen Durchsatz • 17,7 nC typische Gate-Ladung für kontrollierte Schaltenergie • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C ermöglicht den Betrieb bei hohen Temperaturen

Anwendungen

• Geeignet für Motorantriebs-Halbbrückenstufen in Automatisierungssystemen • Ideal für DC/DC-Wandler in Stromverteilungsmodulen • Wird für das Schalten von Lasten in industriellen Steuergeräten verwendet • Kann für Batteriemanagement und Hochstromverteilung verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten Entwickler beachten?

Die Gate-to-Source-Spannung darf ±20 V nicht überschreiten, um die Gate-Dielektrische Belastung zu vermeiden.

Welche thermischen Überlegungen gelten beim Leiterplatten-Layout?

Aufgrund der Verlustleistung von 65,7 W sollten die Konstrukteure eine ausreichende Kupferfläche und Wärmeleitungen für die Wärmeausbreitung bereitstellen und bei Bedarf an eine Kühlkörperebene anschließen.

Wie wirkt sich das Schaltverhalten auf elektromagnetische Emissionen aus?

Die Gate-Ladung von 17,7 nC beeinflusst Anstiegs- und Abfallzeiten

Die Steuerung von Gate-Drive-Slew-Raten und das Hinzufügen von Snubbern helfen bei der Verwaltung von Schalttransienten und EMI.

Welche Umgebungsbedingungen kann das Gerät während des Betriebs tolerieren?

Er ist für den Einsatz bis zu -55 °C und bis zu 150 °C Sperrschichttemperatur spezifiziert und somit für einen breiten Umgebungsbereich geeignet.