Vishay SISS52DN N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 162 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
736-353
Herst. Teile-Nr.:
SISS52DN-T1-BE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

162A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SISS52DN

Gehäusegröße

PowerPAK 1212-8S

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00095Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

38nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

3.3mm

Länge

3.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für robuste Schaltanwendungen entwickelt und bietet ausgezeichnete Effizienz und Zuverlässigkeit in Power-Management-Lösungen.

Geprüft auf 100 % R g und UIS, um überlegene Zuverlässigkeit zu gewährleisten

Materialkonformitätskategorisierung erhöht die Umweltsicherheit

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