Vishay SiSS N-Kanal, SMD MOSFET N 80 V / 50.3 A 65.7 W, 8-Pin 1212-8S

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RS Best.-Nr.:
878-900
Herst. Teile-Nr.:
SISS32ADN-T1-BE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

1212-8S

Serie

SiSS

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0087Ω

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

3.4mm

Höhe

0.83mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der MOSFET von Vishay bietet hohe Leistung in Leistungsmanagementanwendungen. Entwickelt für Effizienz, eignet er sich hervorragend für die synchrone Gleichrichtung und als primärer Seitenschalter in DC/DC-Wandlern und gewährleistet eine zuverlässige Energiekontrolle.

TrenchFET Gen IV-Technologie sorgt für verbesserte Effizienz

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand minimiert die Leistungsverluste

Umfassende Tests garantieren Zuverlässigkeit und Leistung

Vielseitiges Gehäusedesign für verschiedene Montageanforderungen

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