Vishay SISS32LDN Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V / 63 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

€ 1,27

(ohne MwSt.)

€ 1,52

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 6 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 24€ 1,27
25 - 99€ 1,24
100 - 499€ 1,21
500 - 999€ 1,04
1000 +€ 0,98

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
653-104
Herst. Teile-Nr.:
SISS32LDN-T1-BE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

63A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

SISS32LDN

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0072Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

17.7nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

3.3mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.75mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TH
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay TrenchFET Gen IV ist für eine Ablassquelle-Spannung von 80 V ausgelegt. Gepackt in einem kompakten PowerPAK 1212-8S ist er ideal für DC/DC-Wandler, synchrone Gleichrichtung, Motorsteuerung und Batterie-/Lastumschaltung.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

Verwandte Links