Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 45 V / 208 A 104 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 904-976
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR608DP-T1-BE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
€ 2,17
(ohne MwSt.)
€ 2,60
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,17 |
| 10 - 24 | € 1,42 |
| 25 - 99 | € 0,84 |
| 100 - 499 | € 0,82 |
| 500 + | € 0,79 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 904-976
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR608DP-T1-BE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 208A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 45V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0012Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 208A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 45V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0012Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde entwickelt, um effizientes Schalten und eine hohe Leistungsdichte zu gewährleisten. Mit seinem robusten Leistungsprofil zeichnet er sich durch einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand aus und gewährleistet einen optimalen Betrieb in DC/DC-Wandleranwendungen.
Das TrenchFET Gen IV-Design sorgt für ausgezeichnete Effizienz
45 V Drain-Source-Durchbruchspannung für zuverlässige Leistung
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand mit einem Nennwiderstand von 0,00120 Ohm bei 10 V
Robuster kontinuierlicher Ablassstrom von 208 A bei 25 °C
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay SI34 N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS32LDN Typ N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS26DN N-Kanal 8-Pin PowerPAK 1212-8S
