Vishay SIR680LDP N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 130 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

€ 2,21

(ohne MwSt.)

€ 2,65

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 16. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 9€ 2,21
10 - 24€ 1,43
25 - 99€ 0,79
100 - 499€ 0,78
500 +€ 0,77

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
736-348
Herst. Teile-Nr.:
SIR680LDP-T1-BE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Serie

SIR680LDP

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0028Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

40nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.15mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6.15mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für hocheffizientes Strommanagement in verschiedenen Anwendungen entwickelt. Er arbeitet effizient bei 80 V und zeichnet sich durch synchrone Gleichrichtung und Motorantriebsschaltvorgänge aus.

Verfügt über eine TrenchFET Gen IV-Technologie für verbesserte Energieeffizienz

Zeigt einen sehr niedrigen RDS(on) von 0,0028 Ω bei 10 V an, wodurch minimale Leitungsverluste gewährleistet sind

Ausgelegt für einen kontinuierlichen Ablassstrom von 130 A, wodurch es für anspruchsvolle Anwendungen geeignet ist

Verwandte Links