Vishay SiR680LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 130 A 104 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
210-5003
Herst. Teile-Nr.:
SIR680LDP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

130A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR680LDP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.33mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

90nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Breite

5.26 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8-Gehäuse mit 130 A Ableitstrom.

Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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