Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 60 V / 19 A 375 W, 8-Pin PowerPAK

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

€ 5,02

(ohne MwSt.)

€ 6,02

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 15. Jänner 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 9€ 5,02
10 - 99€ 3,29
100 - 499€ 2,45
500 - 999€ 2,05
1000 +€ 1,96

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
851-496
Herst. Teile-Nr.:
SIHH150N60E-T1-FE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

19A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

1mm

Länge

6mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101 Qualified

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
IL
Der Leistungs-MOSFET von Vishay wurde entwickelt, um einen hohen Wirkungsgrad in Leistungsmanagementanwendungen zu gewährleisten und die Leistung in anspruchsvollen Umgebungen zu optimieren.

Nutzt die Technologie der Advanced E-Serie für verbesserte Energieeffizienz

Bietet einen niedrigen Leistungsfaktor und verbessert die Gesamtleistung

Reduziert Leitungs- und Schaltverluste erheblich für eine längere Lebensdauer

Avalanche-zertifiziert, gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb unter extremen Bedingungen

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.