Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET N 80 V / 116 A 92.5 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 851-507
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5800LEPW-T1RE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
€ 3,29
(ohne MwSt.)
€ 3,95
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 13. August 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,29 |
| 10 - 99 | € 2,15 |
| 100 - 499 | € 1,51 |
| 500 - 999 | € 1,26 |
| 1000 + | € 1,18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 851-507
- Herst. Teile-Nr.:
- SIRS5800LEPW-T1RE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 116A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0039Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 44.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101 Qualified | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 116A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0039Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 44.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101 Qualified | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- DE
Der leistungsstarke N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Es arbeitet effektiv bei 80 V mit einer maximalen Sperrschichttemperatur von 175 °C und bietet zuverlässige und robuste Funktionalität in verschiedenen Anwendungen.
Die TrenchFET Gen V-Technologie gewährleistet hervorragende Leistung und Effizienz
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand reduziert den Leistungsverlust während der Leitung
100 % auf R und UIS getestet, was eine hohe Zuverlässigkeit garantiert
Verbesserte thermische Leistung mit verbesserten Verlustleistungseigenschaften
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal 8-Pin PowerPAK