Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 14 A 19.8 W, 8-Pin PowerPAK
- RS Best.-Nr.:
- 904-972
- Herst. Teile-Nr.:
- SI7120BDN-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.021Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 19.8W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | ROHS | |
| Breite | 3.3mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.021Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 19.8W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen ROHS | ||
Breite 3.3mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt und bietet durch fortschrittliche Funktionen und robuste Zuverlässigkeit eine verbesserte Leistung in verschiedenen elektronischen Anwendungen.
Die TrenchFET Gen IV-Technologie optimiert die Effizienz und reduziert den Leistungsverlust
100 % auf R und UIS getestet, um gleichbleibende Zuverlässigkeit zu gewährleisten
Die bleifreie (Pb)-Konstruktion entspricht den Umweltstandards
Optimierte Schalteigenschaften unterstützen Hochgeschwindigkeitsanwendungen
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