Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 20 V / 2.5 A 1.15 W, 6-Pin TSOP-6

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RS Best.-Nr.:
847-934
Herst. Teile-Nr.:
SI3552BDV-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

TSOP-6

Montageart

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.200Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Maximale Verlustleistung Pd

1.15W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.6mm

Normen/Zulassungen

RoHS3 Compliant

Länge

2.9mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der Leistungs-MOSFET von Vishay kombiniert sowohl N- als auch P-Kanal-Funktionalität für eine effiziente Leistung in verschiedenen Anwendungen. Dieses Gerät maximiert die Energieeffizienz bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der Zuverlässigkeit in kompakten Räumen.

Die TrenchFET-Technologie sorgt für einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand und damit für einen besseren Wirkungsgrad

Bietet eine maximale Ablass-Quellenspannung von 30 V für N-Kanal und -30 V für P-Kanal

Kontinuierlicher Ablassstrom von bis zu 3,7 A für zuverlässigen Betrieb

Die Blei sind halogenfrei und fördern die ökologische Nachhaltigkeit

Verfügt über ein kompaktes TSOP-6-Gehäuse für platzsparende Designs

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