Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 9 A 17.9 W, 6-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
904-973
Herst. Teile-Nr.:
SIA4620DJ-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

SMD

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.023Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

17.9W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.4nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.05mm

Normen/Zulassungen

ROHS

Breite

2.05mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Es eignet sich aufgrund seiner Hochleistungsmetriken und seiner kompakten Verpackung hervorragend für verschiedene Anwendungen und eignet sich daher ideal für moderne elektronische Designs.

Arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 60 V

Geringer Einschaltwiderstand für erhöhte Effizienz

Bietet einen kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 8,6 A bei 25 °C

Umfassende Tests für Zuverlässigkeit und Leistung

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