Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD Einfache MOSFETs Erweiterungsmodus 80 V / 352 A 375 W, 8-Pin PowerPAK (8x8LR)

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RS Best.-Nr.:
847-933
Herst. Teile-Nr.:
SQJQ580ER-T1_GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

352A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

PowerPAK (8x8LR)

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00144Ω

Channel-Modus

Erweiterungsmodus

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

93nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

12V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS3 Compliant

Breite

8mm

Höhe

1.6mm

Länge

8mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay für die Automobilindustrie bietet effizientes Hochleistungs-Schalten für eine Vielzahl anspruchsvoller Anwendungen und gewährleistet Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen.

Die TrenchFET Gen V-Technologie sorgt für verbesserte Effizienz und Leistung

AEC-Q101-qualifiziert für Automobilanwendungen, um die Einhaltung von Industriestandards zu gewährleisten

Kontinuierlicher Ablassstrom von 352 A unter Standardbedingungen

Das dünne Profil von 1,9 mm maximiert die Raumeffizienz in Designs

100 % auf R und UIS getestet, um einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten

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