Teile-Nr.

Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 80,3 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

RS Best.-Nr.:: 228-2896
Herst. Teile-Nr.:: SiR186LDP-T1-RE3
Hersteller:: Vishay

Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 80,3 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:: 228-2896
Herst. Teile-Nr.:: SiR186LDP-T1-RE3
Hersteller:: Vishay

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Channel-Typ	N
	Dauer-Drainstrom max.	80,3 A
	Drain-Source-Spannung max.	60 V
	Serie	TrenchFET
	Gehäusegröße	PowerPAK SO-8
	Montage-Typ	SMD
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand max.	0,0044 Ω
	Channel-Modus	Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max.	2.5V
	Transistor-Werkstoff	Si
	Anzahl der Elemente pro Chip	2

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Channel-Typ N
	Dauer-Drainstrom max. 80,3 A
	Drain-Source-Spannung max. 60 V
	Serie TrenchFET
	Gehäusegröße PowerPAK SO-8
	Montage-Typ SMD
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand max. 0,0044 Ω
	Channel-Modus Enhancement
	Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
	Transistor-Werkstoff Si
	Anzahl der Elemente pro Chip 2

Datasheet - SiR186LDP-T1-RE3

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 60-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 80,3 A, 8-Pin PowerPAK SO-8

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