Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 51.4 A 71.4 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 10,84

(ohne MwSt.)

€ 13,01

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 21 720 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 1,084€ 10,84
100 - 240€ 1,02€ 10,20
250 - 490€ 0,923€ 9,23
500 - 990€ 0,868€ 8,68
1000 +€ 0,812€ 8,12

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2912
Herst. Teile-Nr.:
SiR876BDP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

10.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42.7nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

71.4W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Vishay TrenchFET N-Kanal ist ein 100-V-MOSFET.

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links