Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
134-9160
Herst. Teile-Nr.:
SIR668DP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

65A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.05mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

72nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5.26 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.25mm

Höhe

1.12mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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