Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 518 A 245 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S

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RS Best.-Nr.:
735-148
Herst. Teile-Nr.:
SiRS4302DP
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

518A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8S

Serie

SiR

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00057Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

245W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

153nC

Durchlassspannung Vf

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2mm

Breite

5mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen

87 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TA=25 °C

Niedriger RDS(on) x Qg-Leistungsfaktor für überlegene Schaltleistung

100 % Rg und UIS geprüfte Konstruktion

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