Vishay SiR N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 680 A 278 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S

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RS Best.-Nr.:
735-147
Herst. Teile-Nr.:
SIRS4300DP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

680A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SiR

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8S

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0004Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

30V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

180nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

2mm

Länge

6mm

Breite

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 30 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und wurde für ultra-verlustarme synchrone Gleichrichtung in KI-Leistungsserver-Abwärtswandlern und Hochstrom-Stromversorgungssystemen entwickelt. Es erreicht einen außergewöhnlich niedrigen Einschaltwiderstand von 400 μΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung, um den Wirkungsgrad in Anwendungen mit extrem hoher Dichte zu maximieren.

278 W Nennverlustleistung

100 % Rg und UIS geprüfte Konstruktion

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