Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 40 V / 473 A 278 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S

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RS Best.-Nr.:
735-143
Herst. Teile-Nr.:
SiRS4400DP
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

473A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SiR

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8S

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00069Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

195nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

40V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6mm

Höhe

2mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen

Maximale Verlustleistung von 278 W bei TC=25 °C

195 nC typische Gate-Gesamtladung

100 % Rg und UIS auf Zuverlässigkeit getestet

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