Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 116 A 92.5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 239-5386
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR582DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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- SiR582DP-T1-RE3
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 116A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SiR | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0034Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 92.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.15mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 116A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SiR | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0034Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 92.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.15mm | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET TrenchFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 116 A. Er wird in synchrone Gleichrichtung, Primärseitigen Schaltern, DC/DC-Wandlern und Motorantriebsschaltern eingesetzt.
Sehr niedriger RDS x Qg-Fat-of-Merit (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM
100 % Rg und UIS-geprüft
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