Vishay SiR588DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 59.5 A 59.5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 239-5393
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR588DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR588DP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.008Ω | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR588DP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.008Ω | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SiR588DP von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 80 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 59,5 A – SiR588DP-T1-RE3
Dieser N-Kanal-MOSFET ist ein SMD-Leistungstransistor, der zum Schalten und Verarbeiten hoher Ströme in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine robuste Spannungsverarbeitung und effiziente Leitung in einem kleinen Gehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 80 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen • 59,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Betrieb mit hoher Belastung • Niedrige Rds(on) von 0,008 Ω reduziert Leitungsverluste und Erwärmung • 14,2 nC typische Gate-Ladung ermöglicht schnellere Schaltübergänge • 59,5 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme • Die maximale Betriebstemperatur von 150 °C toleriert erhöhte thermische Umgebungen
Anwendungen
• Geeignet für Motorantriebsstufen in industriellen Automatisierungssystemen • Ideal für Hochstrom-DC-DC-Wandler und Netzteile • Wird für Schaltelemente in Stromverteilungsmodulen verwendet • Kann zum Schalten von Lasten in HLK- und Steuergeräten verwendet werden • Geeignet für kompakte SMD-Stromversorgungen, bei denen der Platz auf der Leiterplatte begrenzt ist
Welche Gate-Spannungsbeschränkungen müssen für einen sicheren Betrieb beachtet werden?
Die Gate-zu-Quelle-Spannung muss innerhalb von ±20 V gehalten werden, um Gate-Oxid-Spannungen zu vermeiden.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Wärmemanagement auf einer Platine aus?
Das 8-polige Oberflächenmontagegehäuse PowerPAK SO-8 konzentriert den Wärmeweg durch das Substrat, sodass eine gute Leiterplatten-Kupferfläche und thermische Wege die Wärmeableitung verbessern.
Welche Umgebungsbedingungen definieren die Betriebsgrenzen des Geräts?
Das Gerät ist für den Einsatz bis zu einer Sperrschichttemperatur von -55 °C und bis zu 150 °C für Umgebungen mit hohen Temperaturen spezifiziert.
Wie bezieht sich die Durchlassspannung des Geräts auf das Leitungsverhalten?
Die Durchlassspannung von 1,1 V zeigt den erwarteten Leitungsabfall der Diode an, wenn die intrinsische Gehäusediode während der Umkehrung oder harten Kommutierung leitet.
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