Vishay SiD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 291 A 150 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
735-145
Herst. Teile-Nr.:
SIDR402EP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

291A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

SiD

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00088Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

40V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

110nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

7mm

Breite

6mm

Höhe

2mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 40 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und wurde für die hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern entwickelt. Er bietet einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand von ca. 0,88 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung, um Leitungsverluste in Hochstromstufen zu minimieren.

65 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TA=25 °C

Niedrige RDS(on) x Qg-Leistungsfaktor für optimales Schalten

Qualifizierung der Materialkategorisierung für Zuverlässigkeit

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