Vishay SiR588DP N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 59.5 A 59.5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 239-5394
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR588DP-T1-RE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
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Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR588DP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.008Ω | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 59.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR588DP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.008Ω | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 59.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie SiR588DP von Vishay, 80 V Drain-Source-Spannung, 59,5 A kontinuierlicher Drain-Strom – SiR588DP-T1-RE3
Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist für Hochstromschaltungen in oberflächenmontierter Leistungselektronik konzipiert. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen, bietet gleichzeitig geringe Leitungsverluste und eine effiziente Gate-Steuerung für Schnellschaltanwendungen.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr geringer Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste und Wärme
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt das Schalten hoher Lasten
• Die Nennleistung von 80 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsdesigns
• Mäßige Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltsteuerung
• Erhebliche Verlustleistungskapazität verbessert die thermische Spanne
• Hoher kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt das Schalten hoher Lasten
• Die Nennleistung von 80 V Drain-Source ermöglicht Mittelspannungsdesigns
• Mäßige Gate-Ladung ermöglicht effiziente Schaltsteuerung
• Erhebliche Verlustleistungskapazität verbessert die thermische Spanne
Anwendungen
• Geeignet für DC/DC-Wandler im Energiemanagement
• Ideal für Motor-Frequenzumrichter-Stufen
• Wird mit Netzteilen für Server- und Telekommunikationsgeräte verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
• Ideal für Motor-Frequenzumrichter-Stufen
• Wird mit Netzteilen für Server- und Telekommunikationsgeräte verwendet
• Kann für Batteriemanagement- und Ladesysteme verwendet werden
Welchen Gehäusetyp verwendet er und warum ist das wichtig?
Er wird in einem PowerPAK SO-8-Gehäuse geliefert, das eine kompakte Grundfläche für die Oberflächenmontage und einen verbesserten Wärmekontakt zur Wärmeableitung auf dicht belegten Boards bietet.
Wie verhält sich das Gerät bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl unter Kaltstartbedingungen als auch in Hochtemperaturgehäusen bei gleichbleibender elektrischer Leistung.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen sollten beachtet werden?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V, sodass Gate-Treiber-Schaltkreise auf diesen Wert begrenzt werden müssen, um eine Überlastung des Gates zu verhindern.
Welche elektrischen Eigenschaften beeinflussen die Schalteffizienz?
Der niedrige Drain-Source-Widerstand zusammen mit einer typischen Gate-Ladung von 14,2 nC bestimmt Leitungsverluste und Schaltenergie, was die Gesamteffizienz des Systems beeinflusst.