Vishay SiR Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 116 A 92.5 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
239-5387
Herst. Teile-Nr.:
SiR582DP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

116A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0034Ω

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33.5nC

Maximale Verlustleistung Pd

92.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6.15mm

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET TrenchFET von Vishay hat einen Ablassstrom von 116 A. Er wird in synchrone Gleichrichtung, Primärseitigen Schaltern, DC/DC-Wandlern und Motorantriebsschaltern eingesetzt.

Sehr niedriger RDS x Qg-Fat-of-Merit (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM

100 % Rg und UIS-geprüft

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