Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 146 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
735-135
Herst. Teile-Nr.:
SiR580DP
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

146A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0027Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

50.6nC

Durchlassspannung Vf

80V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Breite

6mm

Höhe

2mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Vishay ist für 80 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und eignet sich ideal für hocheffiziente Schaltvorgänge in KI-Leistungsserver- und DC/DC-Wandleranwendungen. Er bietet einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 2,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung, um Leitungsverluste unter schweren Lasten zu minimieren.

146 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TC=25 °C

Maximale Gate-Gesamtladung von 76 nC

Betriebstemperatur zwischen -55 °C und +150 °C

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