Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 80 V / 265 A 240 W, 8-Pin PowerPAK SO-8S

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RS Best.-Nr.:
735-133
Herst. Teile-Nr.:
SiRS5800DP
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

265A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8S

Serie

SiR

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0018Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

80V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

81nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

240W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Länge

6mm

Höhe

2mm

Breite

5mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 80 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für die verlustarme synchrone Gleichrichtung in KI-Leistungsserver-Abwärtswandlern optimiert. Er erreicht einen branchenführenden Einschaltwiderstand von maximal 1,8 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für überlegene Effizienz unter hohen Lastbedingungen.

265 A Impuls-Drain-Nennstrom

81 nC typische Gate-Gesamtladung

52 °C/W thermischer Widerstand von der Verbindung zum Gehäuse

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