Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 30 V / 350.8 A 104.1 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 1,76

(ohne MwSt.)

€ 2,11

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 04. März 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +€ 1,76

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
735-151
Herst. Teile-Nr.:
SiR500DP
Hersteller:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

350.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

SiR

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.00047Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

120nC

Gate-Source-spannung max Vgs

16V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

104.1W

Durchlassspannung Vf

30V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

7mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

2mm

Breite

6mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay ist für 60 V Drain-Source-Spannung ausgelegt und für hocheffizientes Schalten in KI-Leistungsserver-DC/DC-Wandlern und synchronen Gleichrichterkreisen optimiert. Er erreicht einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand von maximal 1,7 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimale Leitungsverluste in Hochstromanwendungen

94 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TA=25 °C

54,3 nC typische Gesamt-Gate-Ladung für schnelles Schalten

Erweiterter Sperrschichttemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C

Verwandte Links