Vishay SiR N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 96.2 W, 8-Pin PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
735-131
Herst. Teile-Nr.:
SiR512DP
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

N-Kanal

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0045Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

96.2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

41nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

100V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

6mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

2mm

Länge

7mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der N-Kanal-TrenchFET Gen V Power MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement in KI-Serverlösungen und Hochstromanwendungen entwickelt. Er liefert 100 V Drain-Source-Spannungskapazität mit einem niedrigen Einschaltwiderstand von 4,5 mΩ bei 10 V Gate-Ansteuerung für minimalen Leistungsverlust.

00 A kontinuierlicher Ablassstrom bei TC=25 °C

96,2 W Verlustleistung

Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C

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