Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 32 A 278 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-084
Herst. Teile-Nr.:
SIHR120N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

E

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.12Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E der 4. Generation von Vishay ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen optimiert. Er bietet einen niedrigen Verdienstwert (FOM), reduzierte Schalt- und Leitungsverluste und eine niedrige effektive Kapazität. Gepackt in dem kompakten PowerPAK 8x8LR ist es ideal für den Einsatz in Servern, Telekommunikation, Beleuchtung und industriellen Netzteilen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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