Vishay SIHM080N60E Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 51 A 500 W, 4-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-178
Herst. Teile-Nr.:
SIHM080N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

51A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

SIHM080N60E

Montageart

Leiterplattenmontage

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.084Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

7.9 mm

Länge

8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Vishay Power MOSFET ist ein MOSFET der 4. Generation der Serie E, der für hocheffiziente Schaltungen in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Er verfügt über eine niedrige Verdienstzahl (FOM), eine reduzierte effektive Kapazität und eine optimierte thermische Leistung. Verpackt in PowerPAK 8x8L, ist es ideal für Server-, Telekommunikations-, SMPS- und Leistungsfaktorkorrekturversorgungen.

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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