Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 600 V / 38 A 347 W, 8-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
653-080
Herst. Teile-Nr.:
SIHR100N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

E

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.105Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

347W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

34nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

8 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Leistungs-MOSFET der Serie E der 4. Generation von Vishay wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen entwickelt. Er verfügt über eine niedrige Verdienstzahl (FOM), eine reduzierte effektive Kapazität und eine optimierte thermische Leistung in einem kompakten PowerPAK 8x8LR-Gehäuse. Ideal für den Einsatz in Server-, Telekommunikations- und Leistungsfaktorkorrekturversorgungen und bietet eine zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen.

Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

Bleifrei

Halogenfrei

RoHS-Konformität

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