Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 25 A 202 W, 4-Pin PowerPAK

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RS Best.-Nr.:
124-2251
Herst. Teile-Nr.:
SIHH26N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

25A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

E

Gehäusegröße

PowerPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

135mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

202W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

77nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

8.1mm

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
TW

N-Kanal-MOSFET, E-Serie, Niedriger Gütefaktor, Vishay Semiconductor


Die Leistungs-MOSFETs der Serie E von Vishay umfassen Hochspannungs-Transistoren mit einem ultraniedrigen maximalen Widerstand und niedrigem Gütefaktor und ermöglichen schnelles Schalten. Sie sind in zahlreichen Nennströmen erhältlich. Typische Anwendungen umfassen Server und Stromversorgung für die Telekommunikation, LED-Beleuchtung, Sperrwandler, Leistungsfaktorkorrektur (PFC) und Schaltnetzteile (SMPS).

Merkmale


Niedriger Gütefaktor (FOM), niedriger RDS(ein) x Qg

Niedrige Eingangskapazität (Ciss)

Niedriger Widerstand (RDS(ein))

Ultraniedrige Gatterladung (Qg)

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste

MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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