Vishay E N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 32 A 184 W, 4-Pin PowerPAK

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine hohe Strombelastbarkeit, effizientes Schalten und eine kompakte Leiterplattenmontage erfordern. Das Gerät entspricht den RoHS-Umweltstandards und wird in einem PowerPAK-Gehäuse für die Low-Profile-Montage geliefert.

• Die Ablassleistung von 650 V ermöglicht Hochspannungsanwendungen
• 32 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• 70 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 42 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 184 W Verlustleistung verwaltet die Wärmeenergie im Betrieb
• Vgs-Grenzwert von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen

• Geeignet für Hochspannungs-Schaltnetzteile
• Ideal für industrielle Motorwechselrichterstufen
• Verwendung mit PFC-Schaltkreisen, die robuste Schalter erfordern
• Kann für Inverter-Abschnitte für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Stromversorgungsbaugruppen

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für raue thermische Umgebungen und hohe Anschlusstemperaturen.

Das PowerPAK-Gehäuse für die Oberflächenmontage bietet eine flache Grundfläche für die automatische Platzierung und bietet einen Wärmeweg, der für die Kupferwärmeableitung auf der Leiterplatte geeignet ist.

Die Antriebsschaltkreise sollten die Gate-Source-Bewertung von ±30 V einhalten und so dimensioniert sein, dass sie die typische Gate-Ladung von 42 nC für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit und EMI-Steuerung liefern.

Es ist nicht als Automobil-Standardgerät definiert, daher sollten Entwickler die Qualifikationsanforderungen überprüfen, bevor sie es in zertifizierten Automobilprogrammen einsetzen.