Vishay E Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 32 A 184 W, 4-Pin PowerPAK

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
228-2873
Herst. Teile-Nr.:
SiHH080N60E-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

32A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

PowerPAK

Serie

E

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

80mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

184W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

42nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie reduziert Schalt- und Leitungsverluste.

Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg

Niedrige effektive Kapazität (Co(er))

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