Infineon IQD0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 151 A 333 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 351-911
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
€ 12,38
(ohne MwSt.)
€ 14,86
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 5 000 Einheit(en) mit Versand ab 03. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 6,19 | € 12,38 |
| 20 - 198 | € 5,575 | € 11,15 |
| 200 - 998 | € 5,14 | € 10,28 |
| 1000 - 1998 | € 4,77 | € 9,54 |
| 2000 + | € 4,27 | € 8,54 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-911
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 151A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IQD0 | |
| Gehäusegröße | PG-WHTFN-9 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.32mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Durchlassspannung Vf | 830mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Höhe | 750μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 151A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IQD0 | ||
Gehäusegröße PG-WHTFN-9 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.32mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Durchlassspannung Vf 830mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Höhe 750μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 6,32 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Der Center-Gate Footprint ist für die Parallelisierung optimiert. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.
Modernste 150-V-Siliziumtechnologie
Hervorragende FOMs
Verbesserte Wärmeleistung
Ultra-niedrig parasitär
Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis
Center-Gate-Fußabdruck
Industriestandard-Gehäuse
Verwandte Links
- Infineon IQD0 N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon IQD0 N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon IQD0 N-Kanal 8-Pin PG-WHSON-8