Infineon IQD0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 151 A 333 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 351-911
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 351-911
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD063N15NM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 151A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | IQD0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.32mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 151A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße PG-WHTFN-9 | ||
Serie IQD0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.32mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 6,32 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Der Center-Gate Footprint ist für die Parallelisierung optimiert. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.
Modernste 150-V-Siliziumtechnologie
Hervorragende FOMs
Verbesserte Wärmeleistung
Ultra-niedrig parasitär
Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis
Center-Gate-Fußabdruck
Industriestandard-Gehäuse
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