Infineon OptiMOS 5 Typ N, Typ N-Kanal, Oberfläche, SMD MOSFET 30 V Erweiterung / 700 A 278 W, 9-Pin PG-WHTFN-9

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RS Best.-Nr.:
348-875
Herst. Teile-Nr.:
IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

700A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche, SMD

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.35mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(on) von 0,35 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden thermischen Leistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Der Centre-Gate Footprint ist für die Parallelisierung optimiert.

Minimierte Leitungsverluste

Schnelles Umschalten

Reduziertes Überschwingen der Spannung

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