Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 80 V / 127 A 125 W, 9-Pin PG-WHTFN-9

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RS Best.-Nr.:
762-895
Herst. Teile-Nr.:
IQE031N08LM6CGSCATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

127A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PG-WHTFN-9

Serie

OptiMOS

Montageart

SMD

Pinanzahl

9

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

33nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Höhe

0.75mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der OptiMOS 6-Leistungstransistor von Infineon ist für Hochleistungs-SMPS mit einer Nennspannung von 80 V optimiert. Er ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21 und RoHS-konform.

N-Kanal

100 % Avalanche-getestet

Betriebstemperatur 75 °C

Bleifreie Bleibeschichtung

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