Infineon IQD0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 276 A 333 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 351-909
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 351-909
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD020N10NM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 276A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | IQD0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 107nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | |
| Breite | 6 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 276A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße PG-WHTFN-9 | ||
Serie IQD0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 107nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, Halogen-Free According to IEC61249-2-21, JEDEC Qualified | ||
Breite 6 mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 2,05 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Der Center-Gate Footprint ist für die Parallelisierung optimiert. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.
Modernste 100-V-Siliziumtechnologie
Hervorragende FOMs
Verbesserte Wärmeleistung
Ultra-niedrig parasitär
Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis
Center-Gate-Fußabdruck
Industriestandard-Gehäuse
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