Infineon IQD0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 151 A 333 W, 8-Pin PG-WHSON-8

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RS Best.-Nr.:
351-914
Herst. Teile-Nr.:
IQD063N15NM5SCATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

151A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Serie

IQD0

Gehäusegröße

PG-WHSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.32mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

48nC

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

333W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6 mm

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21

Länge

5mm

Höhe

0.75mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 6,32 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.

Modernste 150-V-Siliziumtechnologie

Hervorragende FOMs

Verbesserte Wärmeleistung

Ultra-niedrig parasitär

Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis

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