Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 151 A 100 W, 8-Pin PG-WHSON-8

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RS Best.-Nr.:
284-755
Herst. Teile-Nr.:
IQE022N06LM5SCATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

151A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-WHSON-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21

Automobilstandard

Nein

Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 5-Leistungstransistor, einen hocheffizienten MOSFET, der für die Anforderungen fortschrittlicher Stromverwaltungsanwendungen entwickelt wurde. Mit einer Verlustleistung, die einen zuverlässigen Betrieb unter intensiven Bedingungen ermöglicht, sorgt dieser Leistungstransistor für optimale Effizienz und Wärmemanagement. Seine Pb-freie und RoHS-konforme Konstruktion unterstützt seine Verwendbarkeit in ökologisch sensiblen Anwendungen, während er auch halogenfrei ist, was seine Anpassungsfähigkeit in verschiedenen Sektoren verbessert. Er ist gemäß den JEDEC-Normen für industrielle Anwendungen qualifiziert und ein zuverlässiges Bauteil für Ingenieure, die zuverlässige, leistungsstarke Lösungen suchen.

Optimiert für das Energiemanagement

Unterstützt synchrone Gleichrichtung in SMPS

N-Kanal mit Logikpegelkompatibilität

Sehr niedriger Widerstand für thermische Leistung

Hervorragender Wärmewiderstand für Zuverlässigkeit

100% lawinengeprüft für Betriebssicherheit

Entspricht den Umweltvorschriften

Umfassende Validierung für den industriellen Einsatz

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