Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 132 A 100 W, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-760
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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| 100 - 495 | € 2,024 | € 10,12 |
| 500 - 995 | € 1,864 | € 9,32 |
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- RS Best.-Nr.:
- 284-760
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 132A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 132A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET verfügt über einen optimos 5-Leistungstransistor, der speziell für Anwendungen mit synchroner Gleichrichtung entwickelt wurde und eine unvergleichliche Leistung und Effizienz bietet. Mit einem robusten Design und dem Stand der ART-Wärmeverwaltungsfunktionen sorgt dieser Leistungs-MOSFET für einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen. Seine überragende thermische Beständigkeit macht ihn zur ersten Wahl für verschiedene industrielle Anwendungen und gewährleistet, dass Ihre Systeme mit maximaler Zuverlässigkeit und minimalem Leistungsverlust arbeiten. Dieses vollständig RoHS-konforme Bauteil legt den Schwerpunkt auf Umweltfreundlichkeit bei gleichzeitiger außergewöhnlicher Funktionalität.
Synchrongleichrichtung mit hohem Wirkungsgrad
N-Kanal-Konfiguration für effektive Leistung
100% lawinengeprüfte Zuverlässigkeit
Halogenfreie Materialien für eine sicherere Entsorgung
Unterstützung eines breiten industriellen Temperaturbereichs
Minimaler Durchgangswiderstand reduziert den Leistungsverlust
RoHS-konform für ökologische Nachhaltigkeit
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