Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 132 A 100 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-757
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 284-757
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 132A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 132A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein Leistungstransistor, der für den effizienten Betrieb in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde und für modernste Technologie und Leistung steht. Optimiert für synchrone Gleichrichtung, sorgt es für überlegenes Wärmemanagement und Zuverlässigkeit, was es zu einer idealen Wahl für verschiedene industrielle Anwendungen macht. Er basiert auf der OptiMOS 5-Plattform und ist so konzipiert, dass er innerhalb eines 60-V-Bereichs effektiv funktioniert und gleichzeitig eine kompakte Abmessung beibehält. Sein robustes Design ermöglicht ein effizientes Schalten und gewährleistet eine hohe Leistung bei gleichzeitiger Minimierung der Verluste.
Hervorragender Wärmewiderstand für Zuverlässigkeit
Pb-freie Beschichtung zur Einhaltung der Umweltvorschriften
100%ige Avalanche-Prüfung zur Leistungssicherung
Außergewöhnliche Gate-Ladung für Schalteffizienz
Entspricht den Normen für Halogenfreiheit
Ideal für harte industrielle Anwendungen
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