onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 1700 V / 45 A 333 W, 4-Pin TO-247-4L
- RS Best.-Nr.:
- 333-413
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L050N170M1
- Hersteller:
- onsemi
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 333-413
- Herst. Teile-Nr.:
- NVH4L050N170M1
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 45A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 76mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free and RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 45A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Serie EliteSiC | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 76mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free and RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Hochspannungs-Leistungs-MOSFET von ON Semiconductor wurde für effiziente Schaltanwendungen entwickelt, die geringe Leitungsverluste und einen zuverlässigen Betrieb gewährleisten. Sein fortschrittliches Gehäuse bietet eine hervorragende thermische Leistung und eignet sich daher für anspruchsvolle Umgebungen. Dieser Baustein bietet eine erhöhte Belastbarkeit mit optimierten elektrischen Eigenschaften.
TO 247 4L-Paket
RoHS-Konformität
Bleifrei
Verwandte Links
- onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L
- Wolfspeed Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Wolfspeed Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics SCT1000N170 Typ N-Kanal 3-Pin Hip-247
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8
- Infineon CoolSiC Typ N-Kanal 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8
