Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 5.4 A 70 W, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8
- RS Best.-Nr.:
- 349-108
- Herst. Teile-Nr.:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 349-108
- Herst. Teile-Nr.:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 880mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 880mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Infineon CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET ist ein Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFET, der für effizientes Leistungsschalten entwickelt wurde. Er ist mit 12 V / 0 V Gate-Source-Spannung kompatibel und kann daher mit den meisten Flyback-Controllern verwendet werden. Mit einer Benchmark-Gate-Schwellenspannung (VGS(th)) von 4,5 V gewährleistet er eine zuverlässige und effiziente Schaltleistung in einem breiten Spektrum von Leistungsanwendungen. Dieser MOSFET ist eine ausgezeichnete Wahl für Systeme, die einen Hochspannungsbetrieb und eine verbesserte Energieeffizienz erfordern.
Sehr geringe Schaltverluste
Vollständig steuerbares dv/dt zur EMI-Optimierung
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
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