Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 5.4 A 70 W, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8
- RS Best.-Nr.:
- 349-108
- Herst. Teile-Nr.:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- IMWH170R1K0M1XKSA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 880mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 70W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 15V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 880mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 70W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 15V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der CoolSiC-Serie von Infineon, 1700 V Drain-Source-Spannung, 5,4 A kontinuierlicher Drain-Strom – IMWH170R1K0M1XKSA1
Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät aus Siliziumkarbid, das für Hochspannungs-Leistungsschaltungen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und wird über eine Durchsteckmontage montiert, um einen robusten thermischen Kontakt und eine unkomplizierte Montage in Leistungsmodulen und diskreten Boards zu gewährleisten.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Drain-Source-Spannung von 1700 V ermöglicht Hochspannungsschaltung
• 5.4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten
• Maximale Verlustleistung von 70 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• 880 mΩ Drain-Source-Widerstand reduziert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 5,5 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• 15-V-Gate-Source-Grenzwert schützt Gate-Drive-Schaltkreise
• 5.4 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Leistungslasten
• Maximale Verlustleistung von 70 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• 880 mΩ Drain-Source-Widerstand reduziert Leitungsverluste
• Die typische Gate-Ladung von 5,5 nC ermöglicht schnelle Gate-Übergänge
• 15-V-Gate-Source-Grenzwert schützt Gate-Drive-Schaltkreise
Anwendungsbereiche
• Geeignet für Hochspannungs-Leistungswandler
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Einsatz mit Batteriemanagement in Hochspannungssystemen
• Kann für Wechselrichterstufen für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für Labornetzgeräte und Prüfgeräte
• Ideal für industrielle Motorantriebs-Frontenden
• Einsatz mit Batteriemanagement in Hochspannungssystemen
• Kann für Wechselrichterstufen für erneuerbare Energien verwendet werden
• Geeignet für Labornetzgeräte und Prüfgeräte
Welche Befestigungsmethode ist für die Installation erforderlich?
Es verwendet ein Durchsteckgehäuse, das mit Hand- und Wellenlötmontage kompatibel ist und eine solide mechanische Verankerung für Kühlkörper bietet.
Wie verhält sich das Gerät bei hohen Umgebungstemperaturen?
Die Komponente ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt, was den Einsatz in Umgebungen mit großen thermischen Schwankungen ermöglicht und Designs mit konservativer Derating für die gesamte Lebensdauer ermöglicht.
Welche elektrische Polarität und welchen Steuerungsmodus sollten Entwickler erwarten?
Es handelt sich um ein N-Kanal-Gerät, das im Enhancement-Modus arbeitet und zum Einschalten einen positiven Gate-Source-Antrieb in Bezug auf die Quelle benötigt.
Gibt es gesetzliche Beschränkungen für die Beschaffung?
Das Teil wird so hergestellt, dass es RoHS-konform ist und die Beschränkungen für bestimmte gefährliche Stoffe für elektronische Komponenten erfüllt.
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