Infineon IGBT, 650 V 249 W, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
285-011
Herst. Teile-Nr.:
IKWH50N65EH7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

249W

Gehäusegröße

PG-TO-247-3-STD-NN4.8

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Betriebstemperatur min.

40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

5.1mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

20.1mm

Automobilstandard

Nein

Der IGBT von Infineon ist ein hochentwickelter Hochgeschwindigkeits-IGBT, der für eine beeindruckende Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde. Dieses 650-V-Gerät nutzt fortschrittliche Trennschlusstechnologie und bietet erheblich reduzierte Schaltverluste und eine extrem niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung. Sein robustes Design sorgt für außergewöhnliche Zuverlässigkeit und macht ihn zu einer idealen Wahl für energieeffiziente Systeme, wie z. B. industrielle USV- und Elektrofahrzeug-Ladelösungen. Mit seinen hervorragenden Wärmemanagement-Eigenschaften und der Einhaltung der strengen JEDEC-Normen zeichnet sich dieser Baustein durch seine Vielseitigkeit und Langlebigkeit in verschiedenen Anwendungen aus.

Geringe Schaltverluste verbessern den Wirkungsgrad

Robustheit gegenüber Feuchtigkeit für zuverlässigen Betrieb

Optimiert für zwei- und dreistufige Topologien

Sanfte und schnelle Erholungsdiode erhöht die Leistung

Nach Industriestandards für Zuverlässigkeit validiert

Umfassendes Produktspektrum und PSpice-Modelle

Hoher Kollektorstrom für anspruchsvolle Anwendungen

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