Infineon CoolSiC N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 10 A 111 W, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8

Dieser MOSFET ist ein Leistungstransistor aus Siliziumkarbid, der für Hochspannungsschaltungen in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät in einem 3-poligen PG-TO-247-Gehäuse mit Durchgangsbohrung und ermöglicht so eine einfache Montage und Wärmemanagement für Leistungsstufen. Das Gerät eignet sich für Umgebungen, die eine breite Temperaturtoleranz und eine RoHS-konforme Konstruktion erfordern.

• Die Nennleistung von 1700 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• 10 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen einen dauerhaften Stromfluss
• Die maximale Verlustleistung von 111 W verbessert das Wärmemanagement in Anwendungen
• 390 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last
• Die typische Gate-Ladung von 11,7 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergie
• Die Gate-Source-Festigkeit von ±15 V vereinfacht das Antriebsspannungsdesign

• Geeignet für Hochspannungswandler-Topologien in Stromversorgungen
• Ideal für Schaltnetzteile in Industrieanlagen
• Wird mit Wechselrichtern verwendet, die eine hohe Durchschlagsspannung erfordern
• Kann für harte Schaltstufen in Motorantriebselektronik verwendet werden
• Nützlich für Laborprototypen, bei denen die Durchsteckmontage bevorzugt wird

Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C und ist somit für raue thermische Bedingungen geeignet.

Die Komponente verfügt über drei Pins und eine Durchsteckmontage in einem PG-TO-247 3-poligen Gehäuse für die Leiterplattenbefestigung.

Er erfüllt die RoHS-Anforderungen für eingeschränkte Stoffe.

Die Gate-to-Source-Spannung darf ±15 V (15 V in Grösse) nicht überschreiten, um eine Belastung des Geräts zu vermeiden.