Infineon IGBT / 80 A, 650 V 341 W, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 285-016
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH75N65EH7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- 285-016
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- IKWH75N65EH7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 80A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 341W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Länge | 20.1mm | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 80A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 341W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 15.9 mm | ||
Länge 20.1mm | ||
Höhe 5.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der IGBT von Infineon stellt einen bahnbrechenden Fortschritt in der Leistungselektronik dar und nutzt die überlegene Leistung der 650 V TRENCHSTOP IGBT7-Technologie. Dieser IGBT wurde für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt und bietet eine niedrige Sättigungsspannung und minimale Schaltverluste, womit er eine ideale Wahl für eine Vielzahl von anspruchsvollen Anwendungen ist, einschließlich industrieller USV, EV-Ladung und Stringwechselrichter. Seine robuste Bauweise sorgt für Feuchtigkeitsresistenz und optimiertes Schaltverhalten und macht ihn zu einer zuverlässigen Lösung sowohl für Zwei- als auch für Dreistufentopologien. Mit seinem umfassenden Produktspektrum, das durch PSpice-Modelle ergänzt wird, können Benutzer dieses IGBT effektiv in ihre Systeme integrieren und seine erweiterten Funktionen voll ausschöpfen.
Liefert niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Geringe Schaltverluste für verbesserte Effizienz
Optimiert für dynamische Hard-Switching-Anwendungen
Robustheit bei Feuchtigkeit gewährleistet Betriebssicherheit
Nahtlose Anpassung an verschiedene Stromanwendungen
Qualifiziert für den industriellen Einsatz nach JEDEC-Standards
Unterstützt robuste Energieumwandlungslösungen
Integriert mit PSpice-Modellen für mehr Flexibilität beim Design
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