Infineon IGBT, 650 V 208 W, 3-Pin PG-TO-247-3-STD-NN4.8 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 285-010
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH40N65EH7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 285-010
- Herst. Teile-Nr.:
- IKWH40N65EH7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 208W | |
| Gehäusegröße | PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Betriebstemperatur min. | 40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.1mm | |
| Länge | 20.1mm | |
| Breite | 15.9 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 208W | ||
Gehäusegröße PG-TO-247-3-STD-NN4.8 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Betriebstemperatur min. 40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.1mm | ||
Länge 20.1mm | ||
Breite 15.9 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der IGBT von Infineon ist ein hochmodernes IGBT-Modul, das die TRENCHSTOP IGBT7-Technologie für außergewöhnliche Leistungen in Hochgeschwindigkeitsanwendungen mit niedriger Sättigungsspannung nutzt. Dieses Modul wurde mit einer Kollektor-Emitter-Nennspannung von 650 V entwickelt und sorgt für erhöhte Effizienz und minimalen Energieverlust, womit es ideal für anspruchsvolle industrielle Umgebungen ist. Mit seinem robusten Gehäuse und seinen optimierten thermischen Eigenschaften bietet dieses Modul eine hervorragende Widerstandsfähigkeit gegen Feuchtigkeit und gewährleistet einen gleichmäßigen Betrieb unter verschiedenen Bedingungen.
Hochgeschwindigkeitsbetrieb für effizientes Energiemanagement
Niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung steigert die Leistung
Soft-Recovery-Diode sorgt für sanftes Schalten
Feuchtigkeitsresistentes Design für Zuverlässigkeit unter verschiedenen Bedingungen
Optimiert für zwei- und dreistufige Topologien
Umfassendes Produktspektrum für maßgeschneiderte Lösungen
Qualifiziert für industrielle Anwendungen nach strengen JEDEC-Normen
Verwandte Links
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-STD-NN4.8 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-STD-NN4.8 N-Kanal
- Infineon IGBT / 140 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-STD-NN4.8 N-Kanal
- Infineon IGBT / 75 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-STD-NN4.8 N-Kanal
- Infineon IGBT / 88 A ±20V max. 3-Pin PG-TO247-3-U04 P-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7 N-Kanal
- Infineon IGBT / 80 A ±20V max. 4-Pin PG-TO247-4-STD-NT3.7 N-Kanal
