Wolfspeed C2M1000170D N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 5 A 69 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 145-6660
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M1000170D
- Hersteller:
- Wolfspeed
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Preis pro 1 Stück (in Stange zu 30)
€ 7,646
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€ 9,175
(inkl. MwSt.)
| Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
| 30 - 120 | € 7,646 | € 229,38 |
| 150 - 270 | € 7,447 | € 223,41 |
| 300 + | € 7,264 | € 217,92 |
| *Bitte VPE beachten | ||
- RS Best.-Nr.:
- 145-6660
- Herst. Teile-Nr.:
- C2M1000170D
- Hersteller:
- Wolfspeed
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Informationen zur Produktgruppe
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert.
• Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
• Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V
• Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden
• Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand
• Latch-Up-resistenter Betrieb
MOSFET-Transistoren, Wolfspeed
Technische Daten des gezeigten Artikels
| Eigenschaft | Wert |
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 5 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 1700 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 1,4 Ω |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3.1V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 2.4V |
| Verlustleistung max. | 69 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -5 V, +20 V |
| Breite | 5.21mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Länge | 16.13mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Transistor-Werkstoff | SiC |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 20 V, 13 nC @ 5 V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 21.1mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 3.8V |