STMicroelectronics SCT1000N170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 7 A 96 W, 3-Pin Hip-247

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 10,20

(ohne MwSt.)

€ 12,24

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 02. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4€ 10,20
5 - 9€ 9,94
10 +€ 9,70

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
212-2092
Herst. Teile-Nr.:
SCT1000N170
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1700V

Serie

SCT1000N170

Gehäusegröße

Hip-247

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.66Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13.3nC

Durchlassspannung Vf

4.5V

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Betriebstemperatur

200°C

Höhe

5.15mm

Länge

15.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

20.15 mm

Automobilstandard

Nein

SiC MOSFET


Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des SiC-Materials in Kombination mit dem Gehäuse des Geräts im proprietären HiP247-Gehäuse ermöglichen es Entwicklern, einen Industriestandard-Umriss mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden.

Hohe Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Geringe Kapazitäten

Verwandte Links